NCV1060BD100R2G NA

NCV1060BD100R2G ON
NCV1060BD100R2G ON
NCV1060BD100R2G ON
NCV1060BD100R2G ON
NCV1060BD100R2G ON

NCV1060BD100R2G NA

Dostępny
Wyślij zapytanie
');*/ }); })
Szczegóły produktu
Zapytanie
NCV1060BD100R2G NA

• Wbudowany MOSFET 670 V z RDS(on) 34 (NCV1060) i 11,4 (NCV1063)
• Duża odległość upływu między pinami wysokiego napięcia
• Praca w trybie prądowym o stałej częstotliwości – 60 kHz lub 100 kHz
• Regulowany prąd szczytowy: patrz poniższa tabela
• Stała kompensacja rampy
• Bezpośrednie połączenie sprzężenia zwrotnego dla przekształtnika nieizolowanego
• Wewnętrzny i regulowany obwód zabezpieczenia przed nadmiernym zasilaniem (OPP)
• Praca w cyklu pomijania tylko przy niskich prądach szczytowych
• Dynamiczne samozasilanie: nie ma potrzeby stosowania uzwojenia pomocniczego
• Wewnętrzny 4 ms miękki start
• Zabezpieczenie przed zwarciem wyjścia Auto-Recovery z detekcją opartą na timerze
• Zabezpieczenie przeciwprzepięciowe Auto-Recovery z obsługą uzwojenia pomocniczego
• Jitter częstotliwości dla lepszej sygnatury EMI
• Zużycie wejściowe bez obciążenia < 50 mW
"); });

Wskazówki dotyczące uzyskiwania dokładnych ofert od dostawców. Proszę Uwzględnij W zapytaniu następującym:
1. Dane osobowe lub firmowe
2. Podaj bardzo szczegółowe zapytanie o produkt
3. Zapytanie o MOQ, cenę jednostkową itp

Upewnij się, że Twoje dane kontaktowe są poprawne. Twój wiadomość będzie być wysyłane bezpośrednio do odbiorcy (odbiorców) i nie będą być publicznie wyświetlane. Nigdy nie będziemy dystrybuować ani sprzedawać Twoich osobisty informacji osobom trzecim bez Twoja wyraźna zgoda.

Produkty powiązane