MasterGaN1 ST

MasterGaN1 ST
MasterGaN1 ST
MasterGaN1 ST
MasterGaN1 ST
MasterGaN1 ST

MasterGaN1 ST

Dostępny
Wyślij zapytanie
');*/ }); })
Szczegóły produktu
Zapytanie
MasterGaN1 ST
 
  • System w pakiecie 600 V integrujący sterownik bramki półmostkowej i wysokonapięciowe tranzystory mocy GaN:
    • Pakiet QFN 9 x 9 x 1 mm
    • RDS(WŁ.)= 150 mΩ
    • JaDS(MAKS.)= 10 A
  • Możliwość prądu wstecznego
  • Zero strat związanych z odzyskiwaniem wstecznym
  • Ochrona UVLO po stronie niskiej i wysokiej
  • Wewnętrzna dioda bootstrap
  • Funkcja blokowania
  • Dedykowany pin do funkcji wyłączania
  • Dokładne wewnętrzne dopasowanie czasu
  • Wejścia kompatybilne od 3,3 V do 15 V z histerezą i pull-down
  • Zabezpieczenie przed przegrzaniem
  • Redukcja zestawienia materiałowego
  • Bardzo kompaktowy i uproszczony układ
  • Elastyczny, łatwy i szybki projekt.


 
"); });

Wskazówki dotyczące uzyskiwania dokładnych ofert od dostawców. Proszę Uwzględnij W zapytaniu następującym:
1. Dane osobowe lub firmowe
2. Podaj bardzo szczegółowe zapytanie o produkt
3. Zapytanie o MOQ, cenę jednostkową itp

Upewnij się, że Twoje dane kontaktowe są poprawne. Twój wiadomość będzie być wysyłane bezpośrednio do odbiorcy (odbiorców) i nie będą być publicznie wyświetlane. Nigdy nie będziemy dystrybuować ani sprzedawać Twoich osobisty informacji osobom trzecim bez Twoja wyraźna zgoda.

Produkty powiązane