IMW120R090M1H Infineon

IMW120R090M1H Infineon
IMW120R090M1H Infineon
IMW120R090M1H Infineon
IMW120R090M1H Infineon
IMW120R090M1H Infineon

IMW120R090M1H Infineon

Dostępny
Wyślij zapytanie
');*/ }); })
Szczegóły produktu
Zapytanie
IMW120R090M1H Infineon

 Bardzo niskie straty łączeniowe
 Bezprogowa charakterystyka stanu
 Szeroki zakres napięcia bramka-źródło
 Wzorcowe napięcie progowe bramki, VGS(th) = 4,5 V
 Napięcie bramki wyłączającej 0 V dla łatwego i prostego napędu bramy
 W pełni kontrolowane dV/dt
 Wytrzymała dioda korpusu do twardej komutacji
 Straty przełączania niezależne od temperatury
"); });

Wskazówki dotyczące uzyskiwania dokładnych ofert od dostawców. Proszę Uwzględnij W zapytaniu następującym:
1. Dane osobowe lub firmowe
2. Podaj bardzo szczegółowe zapytanie o produkt
3. Zapytanie o MOQ, cenę jednostkową itp

Upewnij się, że Twoje dane kontaktowe są poprawne. Twój wiadomość będzie być wysyłane bezpośrednio do odbiorcy (odbiorców) i nie będą być publicznie wyświetlane. Nigdy nie będziemy dystrybuować ani sprzedawać Twoich osobisty informacji osobom trzecim bez Twoja wyraźna zgoda.

Produkty powiązane