IMBG65R048M1H Infineon

IMBG65R048M1H Infineon
IMBG65R048M1H INFINEON
IMBG65R048M1H INFINEON
IMBG65R048M1H INFINEON
IMBG65R048M1H INFINEON

IMBG65R048M1H INFINEON

Dostępny
Wyślij zapytanie
');*/ }); })
Szczegóły produktu
Zapytanie
IMBG65R048M1H INFINEON

•Zoptymalizowane zachowanie przełączania przy wyższych prądach
•Solidna komutacjadioda w korpusie z niskim poziomem Qf
•Niezawodność Superiorgateoxidereliability
•Tj,max=175°Candexcellentthermalbehavior
•Niższa zależność RDS (on) i prądu impulsowego od temperatury
•Zwiększenie możliwości davalanche
•Kompatybilny ze standardowymi sterownikami (zalecane napięcie jazdy: 0 V-18 V)
•Źródło Kelvina zapewnia do 4 razy niższe straty przy przełączaniu
"); });

Wskazówki dotyczące uzyskiwania dokładnych ofert od dostawców. Proszę Uwzględnij W zapytaniu następującym:
1. Dane osobowe lub firmowe
2. Podaj bardzo szczegółowe zapytanie o produkt
3. Zapytanie o MOQ, cenę jednostkową itp

Upewnij się, że Twoje dane kontaktowe są poprawne. Twój wiadomość będzie być wysyłane bezpośrednio do odbiorcy (odbiorców) i nie będą być publicznie wyświetlane. Nigdy nie będziemy dystrybuować ani sprzedawać Twoich osobisty informacji osobom trzecim bez Twoja wyraźna zgoda.

Produkty powiązane