FDD86250 WŁ.

FDD86250 ON
FDD86250 ON
FDD86250 ON
FDD86250 ON
FDD86250 ON

FDD86250 WŁ.

Dostępny
Wyślij zapytanie
');*/ }); })
Szczegóły produktu
Zapytanie
FDD86250 WŁ.
Funkcje
Technologia MOSFET z ekranowaną bramką
Max rDs(on)= 22 mo przy Vcs = 10 V, lp= 8AMax 「os(on)= 31 m przy Vcs = 6 V, lp=6.5A100% testowany przez UIL
Zgodność z RoHS
Ogólny opis
Ten N-kanałowy tranzystor MOSFET jest produkowany przy użyciu zaawansowanego procesu PowerTrench firmy Fairchild Semiconductors, który wykorzystuje technologię Shielded Gate. Proces ten został zoptymalizowany pod kątem rezystancji w stanie włączenia, a jednocześnie utrzymuje doskonałą wydajność przełączania.
"); });

Wskazówki dotyczące uzyskiwania dokładnych ofert od dostawców. Proszę Uwzględnij W zapytaniu następującym:
1. Dane osobowe lub firmowe
2. Podaj bardzo szczegółowe zapytanie o produkt
3. Zapytanie o MOQ, cenę jednostkową itp

Upewnij się, że Twoje dane kontaktowe są poprawne. Twój wiadomość będzie być wysyłane bezpośrednio do odbiorcy (odbiorców) i nie będą być publicznie wyświetlane. Nigdy nie będziemy dystrybuować ani sprzedawać Twoich osobisty informacji osobom trzecim bez Twoja wyraźna zgoda.

Produkty powiązane